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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1400 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB200NF04-1 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP2011PGA50 | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
|
| STP2012PQFP | ETC |
获取价格 |
DMA Controller |
|
| STP2013PGA-50 | ETC |
获取价格 |
MEMORY CONTROLLER |
|
| STP2014PQFP | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
|
| STP2016QFP | ETC |
获取价格 |
CPU System Clock Generator |
|
| STP2018TAB | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
|
| STP2021PLCC | ETC |
获取价格 |
Power Control/Management |
|
| STP2022PQFP | ETC |
获取价格 |
Peripheral (Multifunction) Controller |
|
| STP2024PQFP | ETC |
获取价格 |
DMA Controller |
|
| STP20N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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