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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 862 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB200N4F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO-2 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP200N6F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PI |
|
| STP200NF03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK |
|
| STP200NF04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET |
|
| STP200NF04L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET |
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| STP2011PGA50 | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
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| STP2012PQFP | ETC |
获取价格 |
DMA Controller |
|
| STP2013PGA-50 | ETC |
获取价格 |
MEMORY CONTROLLER |
|
| STP2014PQFP | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
|
| STP2016QFP | ETC |
获取价格 |
CPU System Clock Generator |
|
| STP2018TAB | ETC |
获取价格 |
BUS CONTROLLER |
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