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STP19N20

更新时间： 2024-11-26 21:13:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	331K
描述
15A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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STP19N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STP19N20 数据手册

STB19N20

STP19N20

N-channel 200V - 0.15Ω - 15A - TO-220 - D²PAK

MESH OVERLAY™ Power MOSFET

General features

Type

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STB19N20

STP19N20

200V

<0.16Ω

15A

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

TO-220

■ Very low intrinsic capacitances

D²PAK

Description

This Power MOSFET is designed using the

company’s consolidated strip layout-based MESH

OVERLAY™ process. This technology matches

and improves the performances compared with

standard parts from various sources.

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching application

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

STB19N20

STP19N20

B19N20

P19N20

D²PAK

Tape & reel

Tube

TO-220

October 2006

Rev 1

1/14

www.st.com

12 3 4 5 6 7...14

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