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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP19N06FI
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STP19N06FI

更新时间： 2024-11-22 22:09:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 196K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP19N06FI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ISOWATT220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：76 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP19N06FI 数据手册

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STP19N06  
STP19N06FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP19N06  
STP19N06FI  
60 V  
60 V  
< 0.1 Ω  
< 0.1 Ω  
19 A  
13 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.085 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP19N06  
STP19N06FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 20  
V
19  
13  
13  
9
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
76  
76  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
80  
35  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.53  
0.23  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
February 1995  
1234567...10

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与STP19N06FI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP19N06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP19N06LFI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STP19N20 STMICROELECTRONICS

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 		15A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
STP19NB20 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-22
STP19NB20FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-22
STP19NF20 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK
STP19NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STP19NM65N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STP1N120 STMICROELECTRONICS

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 		channel 1200V - 30ヘ - 500mA - TO-220 Zener -
STP2000QFP ETC

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 		I/O Controller

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