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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 2.3 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP180N55F3 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 S |
|
| STB185N55F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 S |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP18N10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220 |
|
| STP18N10FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220VAR |
|
| STP18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
|
| STP18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STP18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STP18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STP18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STP18NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow |
|
| STP18NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power M |
|
| STP190N55LF3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道55 V、2.9 mOhm典型值、120 A STripFET(TM) 功率MOSF |
|
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