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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP180N55F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 S |
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| STP185N55F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 S |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB18N20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB18N20-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| STB18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
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| STB18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STB18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB18N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET，D |
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| STB18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.198 Ω typ., 15 A MDmeshâ |
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| STB18NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charg |
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| STB18NF30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道330 V、160 mOhm典型值、18 A STripFET(TM) II功 |
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| STB18NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow |
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