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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 257K |  |
| 描述 | ||
| N-channel clamped 3.5 mΩ - 120 A TO-220 fully protected SAFeFET™ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 33 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP185N10F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 |
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| STP185N55 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220 |
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| STP185N55F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 S |
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| STP18N10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220 |
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| STP18N10FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220VAR |
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| STP18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
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| STP18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STP18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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