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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 257K | |
描述 | ||
N-channel clamped 3.5 mΩ - 120 A TO-220 fully protected SAFeFET™ Power MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.73 |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 33 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0042 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP185N10F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 | |
STP185N55 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220 | |
STP185N55F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 S | |
STP18N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220 | |
STP18N10FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220VAR | |
STP18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STP18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STP18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STP18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STP18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET, |