RFP3055LE

更新时间： 2024-11-22 22:43:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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8页	416K
描述
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

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RFP3055LE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.107 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	38 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RFP3055LE 数据手册

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE

Data Sheet

January 2002

11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level,

N-Channel Power MOSFETs

Features

• 11A, 60V

These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are

manufactured using the latest manufacturing process

technology. This process, which uses feature sizes

approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization

of silicon, resulting in outstanding performance. They were

designed for use in applications such as switching

regulators, switching converters, motor drivers and relay

drivers. These transistors can be operated directly from

integrated circuits.

• r

= 0.107Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49158.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

F3055L

RFD3055LE

TO-251AA

RFD3055LESM

RFP3055LE

TO-252AA

TO-220AB

F3055L

FP3055LE

NOTE: When ordering, use the entire part number.Add the sufﬁx, 9A,

to obtain the TO-252 variant in tape and reel, e.g. RFD3055LESM9A.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

GATE

SOURCE

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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RFP3055LE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTP3055VL	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP3055V	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
RFP3055	FAIRCHILD	类似代替	12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

与RFP3055LE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP3055LE_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
RFP3055RLE	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
RFP-30A50TP	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
RFP-30A50TPP	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4200MHz Max, 50ohm
RFP-30A50TPR	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
RFP30N06LE	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE	FAIRCHILD	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE	HARRIS	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RFP30N06LE_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFP-30N50T	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm

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