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RFP30N06LE

更新时间： 2024-11-11 22:43:59
品牌 Logo 应用领域
哈里斯 - HARRIS /
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

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RFP30N06LE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
其他特性：AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：96 W最大功率耗散 (Abs)：96 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：140 nsBase Number Matches：1

RFP30N06LE 数据手册

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RFP30N06LE, RF1S30N06LE,  
RF1S30N06LESM  
S E M I C O N D U C T O R  
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level  
N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs  
July 1995  
Features  
Packages  
JEDEC TO-220AB  
• 30A, 60V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• rDS(ON) = 0.047Ω  
• 2kV ESD Protected  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-262AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
Description  
The RFP30N06LE, RF1S30N06LE and RF1S30N06LESM  
are N-Channel power MOSFETs manufactured using the  
MegaFET process. This process, which uses feature sizes  
approaching those of LSI integrated circuits gives optimum  
utilization of silicon, resulting in outstanding performance.  
They were designed for use in applications such as switch-  
ing regulators, switching converters, motor drivers and relay  
drivers. These transistors can be operated directly from inte-  
grated circuits.  
DRAIN  
(FLANGE)  
JEDEC TO-263AB  
M
A
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
These transistors incorporate ESD protection and are  
designed to withstand 2kV (Human Body Model) of ESD.  
SOURCE  
PACKAGE AVAILABILITY  
Symbol  
PART NUMBER  
RFP30N06LE  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-262AA  
TO-263AB  
BRAND  
F30N06LE  
D
RF1S30N06LE  
1S30N06L  
1S30N06L  
RF1S30N06LESM  
G
NOTE: When ordering use the entire part number. Add suffix, 9A, to  
obtain the TO-263 variant in tape and reel i.e. RF1S30N06LESM9A.  
Formerly developmental type TA49027.  
S
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C  
C
RFP30N06LE, RF1S30N06LE,  
RF1S30N06LESM  
UNITS  
Drain Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
DGR  
Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
Drain Current  
+10, -8  
GS  
RMS Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
30  
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Refer to Peak Current Curve  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
Refer to UIS Curve  
AS  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
96  
0.645  
W
W/ C  
C
D
o
o
Derate above +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Electrostatic Discharge Rating, MIL-STD-883, Category B(2) . . . . . . . . . . . . . . . ESD  
2
kV  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
, T  
-55 to +175  
260  
C
STG  
J
o
Soldering Temperature of Leads for 10s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
C
L
Copyright © Harris Corporation 1995  
File Number 3629.1  
5-45  
123456

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与RFP30N06LE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFP30N06LE_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
RFP-30N50T ANAREN

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 		RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm
RFP-30N50T-S ANAREN

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RFP30P05 INTERSIL

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RFP-375375-6X50-2 ANAREN

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 		Aluminum Nitride Terminations

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