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RFP30N06LE_NL

更新时间： 2024-09-24 12:59:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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RFP30N06LE_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RFP30N06LE_NL 数据手册

RFP30N06LE, RF1S30N06LESM

Data Sheet

January 2004

30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic

Level N-Channel Power MOSFETs

Features

• 30A, 60V

These are N-Channel power MOSFETs manufactured using

the MegaFET process. This process, which uses feature

sizes approaching those of LSI integrated circuits gives

optimum utilization of silicon, resulting in outstanding

performance. They were designed for use in applications

such as switching regulators, switching converters, motor

drivers and relay drivers. These transistors can be operated

directly from integrated circuits.

• r

= 0.047Ω

• 2kV ESD Protected

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

These transistors incorporate ESD protection and are

designed to withstand 2kV (Human Body Model) of ESD.

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49027.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

P30N06LE

1S30N06L

RFP30N06LE

RF1S30N06LESM

NOTE: When ordering use the entire part number. Add suffix, 9A, to

obtain the TO-263 variant in tape and reel i.e. RF1S30N06LESM9A.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-263AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

RFP30N06LE, RF1S30N06LESM Rev. B1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP-30N50T	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm
RFP-30N50T-S	ANAREN	获取价格	Aluminum Nitride Termination 30 Watts, 50W
RFP30P05	INTERSIL	获取价格	30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP30P06	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP-375375-6X50-2	ANAREN	获取价格	Chip Terminations 300 Watts, 50ohm
RFP-375375-6Y100-2	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 1500MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
RFP-375375-6Z50-2	ANAREN	获取价格	Surface Mount Terminations 30 Watts, 50ohm
RFP-375375A4Z50	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 2500MHz Max, 50ohm, ALUMINUM CERAMIC, SURFACE MOUNT PA
RFP-375375N6X50-2	ANAREN	获取价格	Aluminum Nitride Terminations
RFP-375375N6Z50-2	ANAREN	获取价格	Aluminum Nitride Terminations

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