RFP3055

更新时间： 2024-09-25 22:43:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
8页	418K
描述
12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RFP3055 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	53 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RFP3055 数据手册

RFD3055, RFD3055SM, RFP3055

Data Sheet

January 2002

12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 12A, 60V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power ﬁeld effect transistors. They are advanced power

MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a

speciﬁed level of energy in the breakdown avalanche mode

of operation. All of these power MOSFETs are designed for

applications such as switching regulators, switching

convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate drive power. These types can be operated directly

from integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.150Ω

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175 C Operating Temperature

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49082.

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

FD3055

RFD3055

TO-251AA

RFD3055SM

RFP3055

TO-252AA

TO-220AB

FD3055

FP3055

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx 9A,

to obtain the TO-252AA variant in tape and reel, i.e. RFD3055SM9A.

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

SOURCE

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

RFD3055, RFD3055SM, RFP3055 Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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RFP3055 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTP3055VL	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP3055V	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
RFP3055LE	FAIRCHILD	类似代替	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

与RFP3055相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP3055LE	FAIRCHILD	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFP3055LE	INTERSIL	获取价格	11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFP3055LE_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
RFP3055RLE	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
RFP-30A50TP	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
RFP-30A50TPP	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4200MHz Max, 50ohm
RFP-30A50TPR	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
RFP30N06LE	INTERSIL	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE	FAIRCHILD	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE	HARRIS	获取价格	30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

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