5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.1 |
| Samacsys Confidence： | Samacsys Status： | Released | |
| Samacsys PartID： | 439908 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | TO254P483X1016X2222-3P | Samacsys Released Date： | 2017-01-11 16:35:06 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MTP3055V | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| RFP3055LE | FAIRCHILD |
类似代替 |
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFP3055 | FAIRCHILD |
类似代替 |
12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP3055VL_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP30N06EL16 | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP30N06ELA | MOTOROLA |
获取价格 |
30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP30N06ELA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP30N06ELAF | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP30N06ELAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP30N06ELC | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP30N06ELD1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP30N06ELL | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP30N06ELS | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
