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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP33N10 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM |
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| MTP33N10E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM |
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| MTP33N10E | ONSEMI |
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33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN |
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| MTP33N10E16 | MOTOROLA |
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33A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP33N10EA | MOTOROLA |
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33A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP33N10EAF | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MTP33N10EAJ | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MTP33N10EC | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP33N10ED1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MTP33N10EL | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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