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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP33N10EU | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MTP33N10EU2 | MOTOROLA |
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33A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP33N10EW | MOTOROLA |
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33A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP33N10EWC | MOTOROLA |
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33A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP3401N3 | CYSTEKEC |
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P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET |
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| MTP3403AN3 | CYSTEKEC |
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P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET |
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| MTP3403N3 | CYSTEKEC |
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P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET |
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| MTP3506A1 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP3506M1 | NELLSEMI |
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Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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| MTP3506W | NELLSEMI |
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Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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