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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP16NE06LFP
STP16NE06LFP PDF预览

STP16NE06LFP

更新时间： 2024-01-20 00:50:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 72K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

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STP16NE06LFP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.85
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP16NE06LFP 数据手册

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STP16NE06L  
STP16NE06L/FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET  
TARGET DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP16NE06L  
STP16NE06LFP  
60 V  
60 V  
< 0.12 Ω  
< 0.12 Ω  
16 A  
11 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.09 Ω  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dV/dt CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO-220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size”  
process whereby a single body is implanted on a  
strip layout structure. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP16NE06L STP16NE06LFP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 15  
V
16  
10  
64  
60  
0.4  
11  
7
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
64  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
30  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.2  
2000  
VISO  
dV/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
6
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 16 A,di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/7  
October 1997  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP16NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A TO-220/TO-220F
STP16NF06_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.08ヘ - 16A - TO-220/TO-220FP
STP16NF06FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A TO-220/TO-220F
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 		N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220F
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STP16NK60Z STMICROELECTRONICS

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STP16NK60Z_05 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.38 - 14 A TO-220 /I2SPAK/
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