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STP16NS25

更新时间： 2024-11-01 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 332K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A TO-220 / TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

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STP16NS25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP16NS25 数据手册

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STP16NS25  
STP16NS25FP  
N-CHANNEL 250V - 0.23Ω - 16A TO-220 / TO-220FP  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP16NS25  
STP16NS25FP  
250 V  
250 V  
< 0.28 Ω  
< 0.28 Ω  
16 A  
16 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.23 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
IDEAL FOR MONITOR’s B+ FUNCTION  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP16NS25  
STP16NS25FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
250  
± 20  
V
V
V
A
A
A
W
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
16  
11  
16(*)  
11(*)  
64(*)  
40  
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
64  
140  
1
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
C
Derating Factor  
0.33  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
5
V
ISO  
-
2500  
T
stg  
–65 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤ 16A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
jMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
May 2002  
1/9  
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与STP16NS25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP16NS25FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A TO-220 / TO-22
STP17N05L STMICROELECTRONICS

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 		17A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
STP17N25 STMICROELECTRONICS

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 		17A, 250V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
STP17N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道800 V、0.29 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，T
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 		N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DP
STP17NK40Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 400V - 0.23ohm - 15A TO-220/TO-220F
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STP180N55F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 S

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