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STP16NF06LT4

更新时间： 2024-11-02 14:45:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 141K
描述
55A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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STP16NF06LT4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP16NF06LT4 数据手册

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STP16NF06L  
2
N-CHANNEL 60V - 0.014 Ω - 55A D PAK  
STripFET II POWER MOSFET  
V
R
DS(on)  
I
TYPE  
DSS  
D
STB55NF06L  
60 V  
<0.018 Ω  
55 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.014 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
2
D PAK  
TO-263  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique ”Single Feature Size  
(Suffix “T4”)  
”
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ANVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
55  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
39  
A
C
I
(•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
220  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
95  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.63  
20  
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
°C  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
300  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
-55 to 175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤55A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 27.5A, V = 30V  
j
D
DD  
February 2002  
1/9  
.
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-CHANNEL 600V - 0.38 - 14 A TO-220 /I2SPAK/
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