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STP16NE06FI

更新时间: 2024-02-14 02:35:20
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 368K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220

STP16NE06FI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:TO-220FP, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):80 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):11 A
最大漏极电流 (ID):11 A最大漏源导通电阻:0.12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STP16NE06FI 数据手册

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