5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 145 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 165 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUZ71A | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N - CHANNEL 50V - 0.1W - 13A TO-220 STripFET] POWER MOSFET |
|
| STP16NE06 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
|
| MTP3055VL | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP3055EA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP3055EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP3055EC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055ED1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055EL | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055ELA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055ELA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MTP3055ELAF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
