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MTP3055VG PDF预览

MTP3055VG

更新时间： 2024-09-26 19:55:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 202K
描述
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, CASE 221A-09, 3 PIN

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MTP3055VG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：GREEN, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTP3055VG 数据手册

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MTP3055V  
Preferred Device  
Power MOSFET  
12 Amps, 60 Volts  
N−Channel TO−220  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high  
speed switching applications in power supplies, converters and power  
motor controls, these devices are particularly well suited for bridge  
circuits where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected voltage  
transients.  
http://onsemi.com  
12 AMPERES  
50 VOLTS  
DS(on) = 150 mΩ  
R
• On−resistance Area Product about One−half that of Standard  
MOSFETs with New Low Voltage, Low R  
Technology  
DS(on)  
N−Channel  
• Faster Switching than E−FET Predecessors  
• Avalanche Energy Specified  
D
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
• Static Parameters are the Same for both TMOS V and  
TMOS E−FET  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Drain−Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
4
Gate−Source Voltage  
− Continuous  
4
Drain  
V
GS  
± 20  
± 25  
Vdc  
Vpk  
− Non−Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current − Continuous @ 25°C  
Drain Current − Continuous @ 100°C  
I
I
12  
7.3  
37  
Adc  
Apk  
D
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D
Drain Current − Single Pulse (t ≤ 10 μs)  
I
p
DM  
MTP3055V  
LLYWW  
Total Power Dissipation @ 25°C  
Derate above 25°C  
P
48  
0.32  
Watts  
W/°C  
D
1
Gate  
3
1
2
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
3
2
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
72  
mJ  
Drain  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
MTP3055V = Device Code  
I = 12 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 Ω)  
L
G
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
Thermal Resistance − Junction to Case  
Thermal Resistance − Junction to Ambient  
R
R
3.13  
62.5  
°C/W  
°C  
θ
JC  
JA  
WW  
= Work Week  
θ
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
MTP3055V  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
TO−220AB  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 4  
MTP3055V/D  
1234567

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与MTP3055VG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP3055VL MOTOROLA

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 		TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM
MTP3055VL FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP3055VL ONSEMI

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 		逻辑电平功率 MOSFET，60V，12 A
MTP3055VL_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTP30N06EL16 MOTOROLA

获取价格

 		30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP30N06ELA MOTOROLA

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 		30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP30N06ELA16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTP30N06ELAF MOTOROLA

获取价格

 		30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP30N06ELAJ MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTP30N06ELC MOTOROLA

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 		30A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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