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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | TO-263, D2PAK-3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 204 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 33 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGB20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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| STGB20N40LZ | STMICROELECTRONICS |
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汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGB20N45LZAG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGB20NB32LZ | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALL |
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| STGB20NB32LZ-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALL |
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| STGB20NB32LZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT |
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| STGB20NB37LZ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL CLAMPED 20A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
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