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STGB20NB32LZ

更新时间： 2024-11-18 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管双极性晶体管栅汽车点火
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11页 464K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT

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STGB20NB32LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.09
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：325 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2 V
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：15900 ns标称接通时间 (ton)：2900 ns
Base Number Matches：1

STGB20NB32LZ 数据手册

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STGB20NB32LZ  
STGB20NB32LZ-1  
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK  
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
CES  
V
I
C
CE(sat)  
STGB20NB32LZ  
STGB20NB32LZ-1 CLAMPED  
CLAMPED  
< 2.0 V  
< 2.0 V  
20 A  
20 A  
■
■
■
■
■
■
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN  
LOW THRESHOLD VOLTAGE  
LOW ON-VOLTAGE DROP  
3
3
1
2
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
2
2
D PAK  
I PAK  
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE  
SURFACE-MOUNTING D²PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of IGBTs, the  
™
PowerMESH IGBTs, with outstanding  
performances. The built in collector-gate zener  
exhibits a very precise active clamping while the  
gate-emitter zener supplies an ESD protection.  
APPLICATIONS  
■
AUTOMOTIVE IGNITION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage (V = 0)  
CLAMPED  
V
V
CES  
GS  
V
Reverse Battery Protection  
Gate-Emitter Voltage  
20  
ECR  
V
CLAMPED  
V
GE  
I
Collector Current (continuous) at T = 25°C  
40  
A
C
c
I
Collector Current (continuous) at T = 100°C  
30  
A
C
c
I
( )  
Collector Current (pulsed)  
80  
A
CM  
Single Pulse Energy T = 25°C  
Eas  
700  
mJ  
W
c
P
tot  
Total Dissipation at T = 25°C  
150  
c
Derating Factor  
1
4
W/°C  
KV  
°C  
°C  
E
SD  
ESD (Human Body Model)  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
December 2002  
1/11  
1234567...11

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STGB20NB32LZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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