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STGB30NC60KT4

更新时间： 2024-11-23 04:01:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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STGB30NC60KT4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	185 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	290 ns
标称接通时间 (ton)：	41 ns	Base Number Matches：	1

STGB30NC60KT4 数据手册

STGB30NC60K

STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Features

■ Low on-voltage drop (V

)

CE(sat)

■ Low C / C ratio (no cross conduction

res

ies

susceptibility)

■ Short circuit withstand time 10 µs

Applications

D²PAK

TO-220

■ High frequency inverters

■ Motor drivers

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

TO-220

Packaging

STGB30NC60KT4

STGP30NC60K

GB30NC60K

GP30NC60K

Tape and reel

Tube

March 2008

Rev 2

1/15

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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