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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 709K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.84 | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 7 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 220 ns | 标称接通时间 (ton): | 19 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGB3NB60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK Power | |
STGB3NB60MD | ETC |
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N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT | |
STGB3NB60MDT4 | ETC |
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N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT | |
STGB3NB60SD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH⑩ IGBT | |
STGB3NB60SDT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK POWERMESH IGBT | |
STGB3NC120HD | STMICROELECTRONICS |
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Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode | |
STGB3NC120HDT4 | STMICROELECTRONICS |
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Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode | |
STGB40H65FB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | |
STGB40V60F | STMICROELECTRONICS |
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600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT | |
STGB4M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |