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Datasheet > STGB7NB40LZT4
STGB7NB40LZT4 PDF预览

STGB7NB40LZT4

更新时间： 2024-11-23 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 汽车点火栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 412K
描述
14A, N-CHANNEL IGBT, D2PAK-3

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STGB7NB40LZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
其他特性：VOLTAGE CLAMPING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：14 A集电极-发射极最大电压：370 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2.2 V
门极-发射极最大电压：12 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：8000 ns标称接通时间 (ton)：5400 ns
Base Number Matches：1

STGB7NB40LZT4 数据手册

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STGB7NB40LZ  
N-CHANNEL CLAMPED 14A - D2PAK  
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
V
I
C
CES  
CE(sat)  
STGB7NB40LZ  
CLAMPED < 1.50 V  
14 A  
■
■
■
■
■
■
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN  
LOW THRESHOLD VOLTAGE  
LOW ON-VOLTAGE DROP  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE  
3
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of IGBTs, the  
INTERNAL SCHEATIC DIAGRAM  
™
PowerMESH IGBTs, with outstanding  
performances. The built in collector-gate zener  
exhibits a very precise active clamping while the  
gate-emitter zener supplies an ESD protection.  
APPLICATIONS  
■
AUTOMOTIVE IGNITION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
CLAMPED  
20  
Unit  
V
CollectEmitter Voltage (V = 0)  
V
V
CES  
GS  
V
Reverse Battery Protection  
ECR  
V
Gate-Emitter Voltage  
CLAMPED  
14  
V
GE  
I
Collector Current (continuous) at 100°C  
Minimum External Gate Resistor  
A
C
R
500  
Ω
G
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.66  
W/°C  
mJ  
E
Single Pulse Collector to Emitter Avalanche Energy  
130  
CL  
I = 13 A ; T = 150°C (see fig.1-2)  
C
j
E
Reverse Avalanche Energy  
= 7 A ;f= 100 Hz ; T = 25°C  
10  
mJ  
°C  
ECAV  
I
C
c
T
Storage Temperature  
stg  
–55 to 175  
T
Operating Junction Temperature  
j
March 2003  
1/8  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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