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Datasheet > 晶体管 > IGBT> STGB7NB60FDT4
STGB7NB60FDT4 PDF预览

STGB7NB60FDT4

更新时间： 2024-11-22 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
11页 507K
描述
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT

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STGB7NB60FDT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：14 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：854 ns
标称接通时间 (ton)：23 nsBase Number Matches：1

STGB7NB60FDT4 数据手册

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STGP7NB60FD - STGB7NB60FD  
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK  
PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
CES  
V
I
C
CE(sat) (Max)  
@25°C  
@100°C  
STGP7NB60FD  
STGB7NB60FD  
600 V  
600 V  
< 2.4 V  
< 2.4 V  
7 A  
7 A  
■
■
■
■
■
■
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
LOW ON-VOLTAGE DROP (V  
3
3
)
2
cesat  
1
1
2
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
HIGH FREQUENCY OPERATION  
CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™  
ANTIPARALLEL DIODE  
TO-220  
D PAK  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has de-  
signed an advanced family of IGBTs, the Power-  
MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances.  
The suffix "F" identifies a family optimized to  
achieve very low switching switching times for high  
frequency applications (<40KHZ)  
APPLICATIONS  
■
MOTOR CONTROLS  
■
SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
GP7NB60FD  
GB7NB60FD  
PACKAGE  
PACKAGING  
TUBE  
STGP7NB60FD  
TO-220  
2
STGB7NB60FDT4  
TAPE & REEL  
D PAK  
June 2003  
1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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