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STGB3NB60KDT4 PDF预览

STGB3NB60KDT4

更新时间： 2024-11-18 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 709K
描述
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT

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STGB3NB60KDT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：68 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：220 ns标称接通时间 (ton)：19 ns
Base Number Matches：1

STGB3NB60KDT4 数据手册

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STGP3NB60K - STGD3NB60K  
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD  
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK  
PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
I
C
CE(sat)  
V
CES  
(Typ) @125°C @125°C  
STGP3NB60K  
STGD3NB60K  
STGP3NB60KD  
STGP3NB60KDFP 600 V  
STGB3NB60KD 600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 2 V  
< 2 V  
< 2 V  
< 2 V  
< 2 V  
3 A  
3 A  
3 A  
3 A  
3 A  
3
3
2
2
1
1
TO-220FP  
TO-220  
■
■
■
■
■
■
■
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)  
LOW ON-VOLTAGE DROP (V  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
HIGH FREQUENCY OPERATION  
SHORT CIRCUIT RATED  
)
cesat  
3
3
1
1
2
DPAK  
D PAK  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has de-  
signed an advanced family of IGBTs, the Power-  
™
MESH IGBTs, with outstanding performances.  
The suffix “K” identifies a family optimized for high  
frequency motor control applications with short cir-  
cuit withstand capability.  
Std. Version  
“D” Version  
APPLICATIONS  
■
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS  
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
■
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
GP3NB60K  
PACKAGE  
PACKAGING  
TUBE  
STGP3NB60K  
STGD3NB60KT4  
STGP3NB60KD  
STGP3NB60KDFP  
STGB3NB60KDT4  
TO-220  
DPAK  
GD3NB60K  
TAPE & REEL  
TUBE  
GP3NB60KD  
GP3NB60KDFP  
GB3NB60KD  
TO-220  
TO-220FP  
TUBE  
2
TAPE & REEL  
D PAK  
May 2002  
1/14  
1234567...14

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与STGB3NB60KDT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGB3NB60MD ETC

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 		N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB3NB60MDT4 ETC

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 		N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGB3NB60SD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH⑩ IGBT
STGB3NB60SDT4 STMICROELECTRONICS

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 		Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

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