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STGB30NC60WT4 PDF预览

STGB30NC60WT4

更新时间： 2024-11-23 04:01:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 462K
描述
30 A - 600 V - ultra fast IGBT

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STGB30NC60WT4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5.75 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：189 ns标称接通时间 (ton)：42.5 ns
Base Number Matches：1

STGB30NC60WT4 数据手册

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STGB30NC60W - STGP30NC60W  
STGW30NC60W  
30 A - 600 V - ultra fast IGBT  
Features  
■ High frequency operation  
■ Lower C  
/ C  
ratio (no cross-conduction  
IES  
RES  
susceptibility)  
3
3
2
2
1
1
Applications  
TO-247  
TO-220  
■ High frequency motor controls, inverters, ups  
3
1
■ HF, SMPS and PFC in both hard switch and  
resonant topologies  
D²PAK  
Description  
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™  
process resulting in an excellent trade-off  
between switching performance and low on-state  
behavior.  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STGB30NC60WT4  
STGP30NC60W  
STGW30NC60W  
GB30NC60W  
GP30NC60W  
GW30NC60W  
Tape and reel  
Tube  
TO-220  
TO-247  
Tube  
March 2008  
Rev 8  
1/16  
www.st.com  
16  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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