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STGB35N35LZT4 PDF预览

STGB35N35LZT4

更新时间： 2024-09-25 19:52:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅双极性晶体管功率控制光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 706K
描述
Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

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STGB35N35LZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：D2PAK包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
其他特性：VOLTAGE CLAMPING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：380 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2.3 V
门极-发射极最大电压：12 VJEDEC-95代码：TO-263AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：176 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：37000 ns
标称接通时间 (ton)：7600 nsBase Number Matches：1

STGB35N35LZT4 数据手册

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STGB35N35LZ  
STGP35N35LZ  
Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ  
Datasheet  
-
production data  
Features  
TAB  
• Designed for automotive applications and  
TAB  
AEC-Q101 qualified  
• Low threshold voltage  
3
1
• Low on-voltage drop  
TAB  
D²PAK  
3
2
• High voltage clamping feature  
• Logic level gate charge  
1
I²PAK  
• ESD gate-emitter protection  
• Gate and gate-emitter integrated resistors  
3
2
1
TO-220  
Application  
• Automotive ignition  
Figure 1. Internal schematic diagram  
C (2 or TAB)  
Description  
This application specific IGBT utilizes the most  
advanced PowerMESH™ technology. The built-in  
Zener diodes between gate-collector and gate-  
emitter provide overvoltage protection  
capabilities. The device also exhibits low on-state  
voltage drop and low threshold drive for use in  
automotive ignition system.  
R
G
G (1)  
R
GE  
E (3)  
SC30180  
Table 1. Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STGB35N35LZ-1  
STGB35N35LZT4  
STGP35N35LZ  
GB35N35LZ  
GB35N35LZ  
GP35N35LZ  
I²PAK  
D²PAK  
TO-220  
Tube  
Tape and reel  
Tube  
May 2013  
DocID12253 Rev 6  
1/18  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1234567...18

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STGB35N35LZT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STGP35N35LZ STMICROELECTRONICS

功能相似

 Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

与STGB35N35LZT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGB35N35LZT4TRL STMICROELECTRONICS

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 		40A, 380V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
STGB3NB60FD STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2
STGB3NB60FDT4 STMICROELECTRONICS

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