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STGB3NB60HD

更新时间： 2024-09-24 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
N-CHANNEL 3A - 600V TO-263 PowerMESH IGBT

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STGB3NB60HD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：168 ns
标称接通时间 (ton)：16 nsBase Number Matches：1

STGB3NB60HD 数据手册

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STGB3NB60HD  
N-CHANNEL 3A - 600V TO-263  
PowerMESH IGBT  
TYPE  
VCES  
VCE(sat)  
IC  
STGB3NB60HD  
600 V  
< 2.8 V  
3 A  
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
(VOLTAGEDRIVEN)  
■
■
■
■
■
■
LOW ON-VOLTAGEDROP (Vcesat  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
)
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION  
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH  
ANTIPARALLEL DIODE  
3
1
D2PAK  
TO-263  
(Suffix ”T4”)  
■
SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based  
on a patented strip layout, STMicroelectronics  
has designed an advanced family of IGBTs, the  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
PowerMESH  
IGBTs,  
with  
outstanding  
perfomances. The suffix ”H” identifies a family  
optimized to achieve very low switching times for  
high frequency applications (<120kHz).  
APPLICATIONS  
■
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS  
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VGE  
IC  
Parameter  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage (VGS = 0)  
Gate-Emitter Voltage  
600  
V
V
± 20  
o
Collector Current (continuous) at Tc = 25 C  
6
A
o
IC  
Collector Current (continuous) at Tc = 100 C  
3
24  
A
I
CM(• )  
Collector Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
70  
W
Derating Factor  
0.56  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by max. junction temperature  
1/8  
June 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGB3NB60HD_03 STMICROELECTRONICS

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STGB3NB60HDT4 STMICROELECTRONICS

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 		Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode

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