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Datasheet > 晶体管 > IGBT> STGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZT4 PDF预览

STGB20NB37LZT4

更新时间： 2024-09-24 03:51:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 382K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT

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STGB20NB37LZT4 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：15000 ns标称接通时间 (ton)：2900 ns
Base Number Matches：1

STGB20NB37LZT4 数据手册

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STGB20NB37LZ  
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D²PAK  
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
V
I
C
CES  
CE(sat)  
STGB20NB37LZ  
CLAMPED  
< 2.0 V  
20 A  
■
■
■
■
■
■
■
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN  
LOW THRESHOLD VOLTAGE  
LOW ON-VOLTAGE DROP  
3
LOW GATE CHARGE  
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
D²PAK  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has de-  
signed an advanced family of IGBTs, the Power-  
™
MESH IGBTs, with outstanding performances.  
The built in collector-gate zener exhibits a very pre-  
cise active clamping while the gate-emitter zener  
supplies an ESD protection.  
APPLICATIONS  
■
AUTOMOTIVE IGNITION  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
2
STGB20NB37LZT4  
GB20NB37LZ  
TAPE & REEL  
D PAK  
September 2003  
1/8  
12345678

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STGB20NB37LZT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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