SI7898DP

更新时间： 2024-11-27 22:25:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

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SI7898DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7898DP 数据手册

Si7898DP

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 150-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET for Fast Switching

D PWM Optimized

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

0.085 @ V = 10 V

4.8

4.5

150

0.095 @ V = 6.0 V

APPLICATIONS

D DC/DC Power Supply Primary Side Switch

D Automotive and Industrial Motor Drives

PowerPAKt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

150

"20

= 25_C

= 70_C

4.8

3.8

3.0

2.4

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Avalanch Current

L = 0.1 mH

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.1

5.0

3.2

1.6

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

2.1

2.6

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71873

S-20827—Rev. A, 17-Jun-02

www.vishay.com

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