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RN2109CT

更新时间： 2024-11-14 12:50:51
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东芝 - TOSHIBA 驱动器开关
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2109CT 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN2109CT 数据手册

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RN2107CT ~ RN2109CT  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN2107CT,RN2108CT,RN2109CT  
Switching Applications  
Inverter Circuit Applications  
Interface Circuit Applications  
Unit: mm  
Top View  
0.6±0.05  
0.5±0.03  
Driver Circuit Applications  
• Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
３
• Reducing the parts count enable the manufacture of ever more  
compact equipment and save assembly cost.  
１
２
• Complementary to RN1107CT to RN1109CT  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
0.15±0.03  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECOTR  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
CST3  
RN2107CT  
RN2108CT  
RN2109CT  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
R1  
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-1J1A  
E
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
RN2107CT  
to  
RN2109CT  
V
V
−20  
−20  
V
V
CBO  
CEO  
Collector-emitter voltage  
RN2107CT  
RN2108CT  
RN2109CT  
−6  
−7  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
−15  
Collector current  
I
−50  
mA  
mW  
°C  
C
RN2107CT  
to  
RN2109CT  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
C
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
1
2010-08-20  
123456

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与RN2109CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2109CT(TPL3) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883
RN2109F TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2109F(F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2109F(TE85L) TOSHIBA

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RN2109FS TOSHIBA

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 		暂无描述
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 		Digital Transistors -50mA -20volts 3Pin 47K x 22Kohms
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