RN2109CT

更新时间： 2024-01-23 22:30:26

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东芝 - TOSHIBA		驱动器开关
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6页	151K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2109CT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

RN2109CT 数据手册

RN2107CT ~ RN2109CT

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2107CT,RN2108CT,RN2109CT

Switching Applications

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Unit: mm

Top View

0.6±0.05

0.5±0.03

Driver Circuit Applications

• Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

３

• Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

１

２

• Complementary to RN1107CT to RN1109CT

0.05±0.03

0.35±0.02

0.15±0.03

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECOTR

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

CST3

RN2107CT

RN2108CT

RN2109CT

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-1J1A

Weight: 0.75 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

RN2107CT

RN2109CT

−20

CBO

CEO

Collector-emitter voltage

RN2107CT

RN2108CT

RN2109CT

−6

−7

Emitter-base voltage

EBO

−15

Collector current

−50

°C

RN2107CT

RN2109CT

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

150

stg

−55 to 150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if

the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2010-08-20

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2109CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883
RN2109F	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2109F(F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2109F(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN2109F(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN2109F(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN2109FS	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
RN2109FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors -50mA -20volts 3Pin 47K x 22Kohms
RN2109FT	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera
RN2109MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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