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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN2110CT
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RN2110CT

更新时间： 2024-11-11 11:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器开关
页数 文件大小 规格书
6页 160K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2110CT 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7其他特性：BUILIT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN2110CT 数据手册

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RN2110CT,RN2111CT  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN2110CT,RN2111CT  
Switching Applications  
Unit: mm  
Inverter Circuit Applications  
0.6±0.05  
Interface Circuit Applications  
0.5±0.03  
Driver Circuit Applications  
３
•
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more  
compact equipment and save assembly cost.  
１
２
Complementary to RN1110CT, RN1111CT  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
0.15±0.03  
Equivalent Circuit  
C
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECOTR  
R1  
CST3  
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
E
TOSHIBA  
2-1J1A  
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−20  
−20  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−5  
V
Collector current  
I
−50  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
C
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-04-17  
123456

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与RN2110CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2110CT(TPL3) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT
RN2110F ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN2110F(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2110F(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2110F(TPL3) TOSHIBA

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 		RN2110F(TPL3)
RN2110FT TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera
RN2110FV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN2110FV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN2110MFV TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2110MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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