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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN2110FT
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RN2110FT

更新时间： 2024-02-20 12:22:29
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
5页 157K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2110FT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN2110FT 数据手册

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RN2110,RN2111  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2110,RN2111  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
and Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN1110, RN1111  
Equivalent Circuit  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
JEDEC  
―
―
EIAJ  
−5  
V
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
2−2H1A  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
T
150  
j
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
V
= −50V, I = 0  
―
―
―
―
−100  
−100  
400  
−0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
―
= −5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
FE  
―
= −5V, I = −1mA  
120  
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―ꢀ  
―
I
= −5mA, I = −0.25mA  
―ꢀ  
―
−0.1  
200  
3
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
= −10V, I = −5mA  
MH  
T
CE  
C
z
Collector output capacitance  
C
―
= −10V, I = 0, f = 1MH  
―
6
pF  
ob  
CB  
E
z
3.29ꢀ  
7ꢀ  
4.7  
6.11  
13  
RN2110  
Input resistor  
R1  
―ꢀ  
―
kΩ  
10  
RN2111  
1
2001-06-07  
12345

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与RN2110FT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2110FV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN2110FV(TPL3) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN2110MFV TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2110MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2110MFV(TPL3) TOSHIBA

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 		Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
RN2111 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2111(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN2111ACT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2111ACT(TPL3) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SMT
RN2111CT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver

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