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RN2110FV

更新时间： 2024-11-11 19:51:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 288K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2110FV 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

RN2110FV 数据手册

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RN2110FV,RN2111FV  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2110FV, RN2111FV  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
and Driver Circuit Applications  
Unit : mm  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Built-in bias resistors  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
Simplified circuit design  
Reduced quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN1110FV, RN1111FV  
1
2
3
Equivalent Circuit  
1.BASE  
VESM  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
2-1L1A  
TOSHIBA  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight: 0.0015g (typ.)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
0.5mm  
−5  
V
0.45mm  
I
−100  
150  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P (Note)  
C
0.45mm  
T
j
150  
0.4mm  
Storage τεµπερατυρε range  
T
−55~150  
stg  
Note : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
―
―
―
―
―
―
V
V
V
= −50V, I = 0  
―
―
―
―
−100  
−100  
400  
−0.3  
―
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
= −5V, I = 0  
EBO  
C
DC current gain  
h
= −5V, I = −1mA  
120  
―
―
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −5mA, I = −0.25mA  
−0.1  
200  
3
V
CE (sat)  
C
B
f
V
CE  
= −10V, I = −5mA  
―
MH  
T
C
z
Collector output capacitance  
C
V
CB  
= −10V, I = 0, f = 1MH  
―
―
pF  
ob  
E
z
3.29  
4.7  
6.11  
RN2110FV  
Input resistor  
R1  
―
―
kΩ  
7
10  
13  
RN2111FV  
2004-06-28  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2110FV(TPL3) TOSHIBA

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