RN2112CT

更新时间： 2024-09-29 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		驱动器开关
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6页	141K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2112CT 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.71	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN2112CT 数据手册

RN2112CT,RN2113CT

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2112CT,RN2113CT

Switching Applications

Unit: mm

Inverter Circuit Applications

0.6±0.05

Interface Circuit Applications

0.5±0.03

Driver Circuit Applications

３

•

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and lowers assembly cost.

１

２

Complementary to RN1112CT, RN1113CT

0.05±0.03

0.35±0.02

0.15±0.03

Equivalent Circuit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECOTR

CST3

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-1J1A

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Weight: 0.75 mg (typ.)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−20

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−5

Collector current

−50

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

150

−55 to 150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-04-17

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2112F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
RN2112FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors -50mA -20volts 3Pin 22Kohms
RN2112FT	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transi
RN2112MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2112MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
RN2113	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN2113(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN2113(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN2113ACT	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2113ACT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SMT

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