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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2110F(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
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| RN2110F(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
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| RN2110F(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
RN2110F(TPL3) |
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| RN2110FT | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN2110FV | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN2110FV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN2110MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2110MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| RN2110MFV(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms |
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| RN2111 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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