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RN1107MFV

更新时间： 2024-11-02 21:06:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 335K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SMALL, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1107MFV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN1107MFV 数据手册

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RN1107~1109  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1107, RN1108, RN1109  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
and Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
z With built-in bias resistors.  
z Simplified circuit design  
z Reduced number of parts and simplified manufacturing process  
z Complementary to RN2107 to 2109  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN1107  
RN1108  
RN1109  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
2-2H1A  
Weight: 2.4mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
RN1107 to 1109  
RN1107 to 1109  
RN1107  
V
V
50  
V
V
CBO  
CEO  
Collector-emitter voltage  
50  
6
7
Emitter-base voltage  
V
V
RN1108  
EBO  
RN1109  
15  
Collector current  
RN1107 to 1109  
RN1107 to 1109  
RN1107 to 1109  
RN1107 to 1109  
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2010-04-06  
123456

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与RN1107MFV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1107MFV(TL3MAA) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1107MFV(TPL3) TOSHIBA

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 		Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN1108 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1108(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1108(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
RN1108(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1108ACT TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1108ACT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SMT
RN1108CT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1108CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-883

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