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RN1109F

更新时间: 2024-02-16 12:57:00
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5页 168K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416

RN1109F 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.59
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

RN1109F 数据手册

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