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RN1111FS

更新时间： 2024-02-19 17:17:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 115K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1111FS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：2-1E1A, FSM, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN1111FS 数据手册

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RN1110FS,RN1111FS  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)  
RN1110FS, RN1111FS  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
•
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more  
compact equipment and lowers assembly cost.  
1
2
Complementary to RN2110FS, RN2111FS  
3
0.8±0.05  
1.0±0.05  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
0.1±0.05  
0.1±0.05  
1.BASE  
2.EMITTER  
fSM  
3.COLLECOTR  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-1E1A  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight: 0.0006mg (typ.)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
20  
20  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
50  
C
T
j
150  
−55~150  
Storage temperature range  
T
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
V
= 20 V, I = 0  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
100  
⎯
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter cut-off current  
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
= 5 V, I = 1 mA  
300  
⎯
⎯
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
V
I
= 5 mA, I = 0.25 mA  
⎯
0.15  
⎯
V
C
B
C
ob  
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
1.2  
4.7  
10  
pF  
CB  
E
RN1110FS  
Input resistor  
3.76  
8
5.64  
12  
R1  
⎯
kΩ  
RN1111FS  
1
2004-06-28  
12345

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与RN1111FS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1111FS(TPL3) TOSHIBA

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 		Digital Transistors 50mA 20volts 3Pin 10Kohms
RN1111FT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP
RN1111FV TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1111MFV TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
RN1111MFV(TL3MAA) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1111MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1111MFV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
RN1112 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1112(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1112(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416

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