RN1113ACT

更新时间： 2024-09-21 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		驱动器开关
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6页	160K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN1113ACT 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN1113ACT 数据手册

RN1112ACT, RN1113ACT

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1112ACT,RN1113ACT

Switching Applications

•

Unit: mm

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

0.6±0.05

0.5±0.03

３

•

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of parts,

which enables the manufacture of ever more compact equipment and

saves assembly cost.

１

２

•

Complementary to RN2112ACT, RN2113ACT

0.05±0.03

0.35±0.02

0.15±0.03

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1.BASE

2.EMITTER

CST3

3.COLLECOTR

JEDEC

JEITA

―

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

2-1J1A

Weight:0.75 mg (typ.)

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

(Note1)

100

150

stg

−55 to 150

Note1: Mounted on FR4 board (10 mm × 10 mm × 1 mmt)

Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-04-13

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1113CT	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1113F	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1113FS	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP General
RN1113FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors 50mA 20volts 3Pin 47Kohms NPN
RN1113FT	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transi
RN1113FV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
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RN1114(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述

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