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RN1112MFV

更新时间： 2024-02-19 08:37:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 281K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1112MFV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.47
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN1112MFV 数据手册

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RN1112MFV,RN1113MFV  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
(Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1112MFV,RN1113MFV  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
1.2 ± 0.05  
Driver Circuit Applications  
0.80 ± 0.05  
z
z
Ultra-small package, suited to very high density mounting  
1
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of  
parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and  
lowering assembly cost.  
3
2
z
z
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.  
Complementary to the RN2112MFV to RN2113MFV  
Equivalent Circuit  
1. BASE  
2. EMITTER  
VESM  
3. COLLECTOR  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
2-1L1A  
Weight: 1.5 mg (typ.)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
5
V
Collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
(Note 1)  
150  
C
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)  
may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the  
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
Pad Dimension（Reference）  
Unit：mm  
0.5  
0.45  
1.15  
0.4  
0.45  
0.4  
0.4  
1
2010-05-12  
123456

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与RN1112MFV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1112MFV(TL3,T) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1112MFV(TL3PAV) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1112MFV(TPL3) TOSHIBA

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RN1113 TOSHIBA

获取价格

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RN1113(TE85L) TOSHIBA

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RN1113ACT TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP General
RN1113FS(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors 50mA 20volts 3Pin 47Kohms NPN

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