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RN1114

更新时间： 2024-02-07 06:13:40

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东芝 - TOSHIBA		开关驱动
页数	文件大小	规格书
8页	262K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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RN1114 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

RN1114 数据手册

RN1114~RN1118

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit: mm

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2114~2118

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R (kΩ)

RN1114

RN1115

RN1116

RN1117

RN1118

4.7

2.2

4.7

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 2.4mg

2-2H1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1114~1118

Collector-emitter voltage

RN1114

RN1115

RN1116

RN1117

RN1118

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1114~1118

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6 7 8

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