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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.88 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1114(TE85L,F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| RN1114_07 | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN1114FT | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1114FT(TE85L) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR |
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| RN1114FT(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR |
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| RN1114FV | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1114MFV | TOSHIBA |
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NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), |
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| RN1114MFV(TPL3) | TOSHIBA |
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Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms |
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| RN1115 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN1115(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
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