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RN1113FS

更新时间： 2024-01-01 07:03:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 117K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1113FS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.71其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.05 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN1113FS 数据手册

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RN1112FS,RN1113FS  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1112FS,RN1113FS  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
•
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more  
compact equipment and save assembly cost.  
1
2
Complementary to RN2112FS, RN2113FS  
3
0.8±0.05  
1.0±0.05  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
0.1±0.05  
0.1±0.05  
1.BASE  
2.EMITTER  
fSM  
3.COLLECOTR  
JEDEC  
JEITA  
―
―
―
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
TOSHIBA  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight:0.0006mg (typ.)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
20  
20  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
50  
C
T
j
150  
−55~150  
Storage temperature range  
T
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
V
= 20 V, I = 0  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
100  
⎯
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter cut-off current  
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
= 5 V, I = 1 mA  
300  
⎯
⎯
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
V
I
= 5 mA, I = 0.25 mA  
⎯
0.15  
⎯
V
C
B
C
ob  
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
1.2  
22  
47  
pF  
CB  
E
RN1112FS  
Input resistor  
17.6  
37.6  
26.4  
56.4  
R1  
⎯
kΩ  
RN1113FS  
1
2004-03-01  
12345

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与RN1113FS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1113FS(TPL3) TOSHIBA

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 		Digital Transistors 50mA 20volts 3Pin 47Kohms NPN
RN1113FT TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transi
RN1113FV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1113MFV TOSHIBA

获取价格

 		NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT),
RN1114 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1114(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN1114(TE85L,F) TOSHIBA

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 		暂无描述
RN1114_07 TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1114FT TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera
RN1114FT(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR

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