RN1109FT

更新时间： 2024-11-25 13:12:59

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东芝 - TOSHIBA		开关驱动
页数	文件大小	规格书
6页	176K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1109FT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	THIN, TESM, 2-1B1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

RN1109FT 数据手册

RN1107~1109

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1107,RN1108,RN1109

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2107~2109

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1107

RN1108

RN1109

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 2.4mg

2-2H1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

RN1107~1109

RN1107

CBO

CEO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

RN1108

EBO

RN1109

Collector current

RN1107~1109

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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