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RN1109MFV

更新时间： 2024-11-26 14:57:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
8页 465K
描述
NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 47 kΩ/22 kΩ, SOT-723(VESM)

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RN1109MFV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

RN1109MFV 数据手册

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RN1107MFV to RN1109MFV  
Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1107MFV/08MFV/09MFV  
1. Applications  
•
•
•
•
Switching  
Inverter Circuits  
Interfacing  
Driver Circuits  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)  
(2) Ultra-small package, suited to very high density mounting  
(3) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce  
system size and assembly time.  
(4) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.  
(5) Complementary to RN2107MFV to 2109MFV  
3. Equivalent Circuit  
4. Bias Resistor Values  
Part No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN1107MFV  
RN1108MFV  
RN1109MFV  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
Start of commercial production  
2005-02  
©2021  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
2021-08-18  
Rev.3.0  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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