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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1109MFV | TOSHIBA |
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NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), |
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| RN1109MFV(TL3MAA) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1109MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| RN1110 | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN1110_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN1110CT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
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| RN1110F | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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| RN1110FS(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
Digital Transistors 50mA 20volts 3Pin 4.7Kohms |
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| RN1110FT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP Genera |
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| RN1110FV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera |
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