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RN1111(TE85R)

更新时间: 2024-11-21 14:38:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1111(TE85R) 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.7其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

RN1111(TE85R) 数据手册

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